Основы радиоэлектроники и схемотехники (ОРЭИС - ОРЭ БГУИР)
- Для комментирования войдите или зарегистрируйтесь
Теоретические вопросы контрольных заданий
по дисциплине ОРЭ.
В1. 1.Классификация радиотехнических сигналов.
2.Полевые транзисторы со встроенным каналом.
Статические характеристики. (1.2.3)
В2. 1.Виды модуляции радиосигналов. (5.6)
2.Полупроводниковые резисторы: варисторы и терморезисторы.
Типы и основные характеристики. (1.2.3)
В3. 1.Структурная схема радиоканала аналоговой системы связи с
амплитудной модуляцией. (5.6)
2.МДП-транзисторы с индуцированным каналом.
Статистические характеристики. (1.2.3)
В4. 1.Цифровое радиовещание. Структурная схема и её описание.(5)
2.Образование p-n-перехода. Контактная разность потенциалов. (1.2.3)
В5. 1.Энергетические диаграммы твёрдых тел. (1.2.3)
2.Дифференциальный усилительный каскад: Принцип действия,
Дифференциальные синфазные сигналы. (1.3)
В6. 1.Энергетическая диаграмма собственного полупроводника.
Концентрация носителей заряда и удельная проводимость.(4)
2.Классификация и параметры операционных усилителей(ОУ)
Применение ОУ. (1.3)
В7. 1.Энергетические диаграммы примесных полупроводников.
Концентрация носителей заряда и удельная проводимость.(4)
2.Инвертирующий усилитель на (ОУ).Схема, принцип работы,
коэффициент усиления. (1.3.6)
В8. 1.Пояснить термины: основные и неосновные носители заряда;
генерация и рекомбинация носителей заряда; равновесная и
неравновесная концентрация носителей заряда. (1.4)
2.Неинвертирующий усилитель на ОУ. Схема, принцип работы,
Коэффициент усиления. (1.3)
В9. 1.Фотопроводимость полупроводников. Спектральная и вольт-
амперная характеристики (ВАХ). (4)
2.Схемы сумматоров на ОУ. (1)
В10.1.Прямое и обратное включение p-n-перехода. (1.2)
2.Дифференциальный и интегрирующий ОУ. (1.3)
В11.1.ВАХ и пробой p-n-перехода .Виды пробоя (1.2)
2.Логарифмирующий и антилогарифмирующий усилители
на ОУ. (1.3)
В12.1.Ёмкости p-n-перехода. (1.2)
2.Логические элементы, логические функции, основные законы
алгебры, логики. (1.5)
В13.1.Выпрямительные диоды и их параметры. (1.2.3)
2.Базовый логический элемент транзисторно-транзисторной
Логики (ТТЛ) (1)
В14.1.Полупроводниковые стабилитроны и их параметры. (1.3.5)
2.Базовый логический элемент эмиттерно-связанной логики.(1)
В15.1.Варикапы и их параметры. (1.3.5)
2.Классификация и разновидности аналоговых ИМС. (1.3)
В16.1.Устройство и принцип действия биполярного
транзистора. (1.2.3.5.6)
2.Основные технические параметры и характеристики
аналоговых устройств. (1)
В17.1.Схемы выключения биполярного транзистора и режимы
работы. (1.2.3)
2.Колебательные контуры.LC- RC-генераторы синусоидаль-
ных колебаний. (5.6)
В18.1.Принцип работы транзисторного усилителя. (2.3)
2.Фотодиоды,светодиоды,оптопары. (3.4.5)
В19.1.Режимы работы усилительных каскадов. (1.3)
2.Фоторезисторы: характеристики, параметры. (1.6)
В20.1.Работаусилительногокаскада с нагрузкой. Построение
Нагрузочной характеристики. (1.3)
2.Выпрямителии их назначение. (3.5)
В21.1.Усилительный каскад с общим эмиттером. (1.6)
2.Электоронные стабилизаторы напряжения. (3.6)
В22.1.Усилительный каскад по схеме с общей базой. (1.6)
2.Элементыгибридных интегральных микросхем. (3)
В23.1.Усилительный каскад с общим коллектором. (1.6)
2.Пассивные элементы полупроводниковых ИМС. (3)
В24.1.Усилительный каскад на полевых транзисторах с общим
истоком (ОИ) и общим стоком. (1.5)
2.Структуры МДП-транзисторов полупроводниковых ИМС.(3)
В25.1.Усилитель постоянного тока. (1)
2.Базовые технологические операции полупроводниковых
ИМС: эпитаксия, легирование.
В26.1.Обратная связь в усилителях. (1.6)
2.Получение диэлектрических, проводящих слоёв (плёнок)
ИМС. (3)
В27.1.Последовательная обратная связь по напряжению. (1)
2.Литография.Технология изготовления тонкоплёночных
и толстоплёночных гибридных интегральных схем (ГИС). (3)
В28.1.Последовательная обратная связь по току. (1)
2.Фотодиоды, фоторезисторы, фотоэлементы, фототранзис-
торы. (1.3)
В29.1.Интегральные микросхемы. Классификационные признаки
и деление ИМС на классы. (3.4.5)
2.Полупроводниковые переключающие приборы.
Тиристоры: диодный, триодный, симметричный. Структуры и
применение. (1.3.4)
В30.1.Радиопередающие устройства. (5)
2.Электронные ключи, мультивибраторы, триггеры на
на биполярных транзисторах. (1.3.5)
В31.1. Энергетические диаграммы примесных полупроводников.
Концентрация носителей заряда и удельная проводимость.(4)
2.Полевые транзисторы со встроенным каналом.
Статические характеристики. (1.2.3)
В32.1.Радиоприёмные устройства. (5.6)
2.Образование p-n-перехода. Контактная разность потенции-
алов. (1.2.3)
В33.1.Радиолокационные устройства. (5.6)
2.Энергетические диаграммы твёрдых тел. (1.3.4)
- Для комментирования войдите или зарегистрируйтесь
Контакты - помощь студентам
Пн - Вскр 900-2200
39-58-68-649
bovaliservice
zakaz [at] reshuzadachi [dot] ru
+375 29 2560343
+7 965 1438010Готовые решения задач
Сотрудничество
Вниманию авторов студенческих работ! Приглашаем к долгосрочному и взаимовыгодному сотрудничеству кандидатов наук, аспирантов, инженеров и других специалистов. Горячие вакансии: геодезия, термех и сопромат строительного профиля БНТУ, спецпредметы БГИУР (проектирование РЭС, СВЧ, антенны) и другие. Ждем ваше резюме...
Помощь заочникам
Готовые решения задач, дополнительные шпаргалки, методички, находятся в свободном доступе тут
Задачи контрольной работы
Задача №1
Рассчитать и построить в соответствующем масштабе вольтамперную характеристику идеализированного диода в диапазоне изменения напряжения питания от – 10 до + 0,7 В при Т = 300 К и обратном токе насыщения, равном I0. Величина константы
для Т = 300 К будет 0,026 В.
По построенной ВАХ графическим методом определить дифференциальное сопротивление Rдиф диода, сопротивление постоянному току R0 для заданного значения напряжения на диоде Uпр, соответствующего рабочей точке на прямой ветви ВАХ. Величины I0, Uпр приведены в табл. 1.
Таблица 1
Последняя цифра шифра
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
I0,nА
0,1
0,2
0,25
0,3
0,5
0,8
1,2
1,5
2,0
3,0
Предпоследняя цифра шифра
1
2
3
Uпр В
0,2
0,3
0,8
Задача № 2
Стабилитрон подключен для стабилизации напряжения параллельно резистору нагрузки RH . Параметры стабилитрона Ucm; Icm min; Icm max и сопротивление нагрузки RH приведены в табл. 2. Определите величину сопротивления ограничительного резистора Rогр, если напряжение источника Е0 изменяется от Emin=20 В до Emax=30 B. Будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменений напряжения источника Е?
Таблица 2
Последняя цифра шифра
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Iст min, мА
1
1
3
3
5
5
5
5
1
5
Iст max, мА
20
20
25
25
25
25
30
30
20
30
Предпоследняя цифра шифра
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
RH, кОм
1
1
1,5
1,5
2
2
2,5
2,5
3
4
Uст В
8
9
10
11
12
13
14
8
9
7
.
Задача № 3
Усилительный каскад выполнен на полевом транзисторе типа 2П302А по схеме с общим истоком и резистором нагрузки Rc в цепи стока. Напряжение смещения на затворе создается за счет включения в цепь истока резистора Ru. Значения сопротивления резистора Rc, напряжения на затворе в режиме покоя Uзио и ЭДС источника Ес приведены в таблице 3.
Таблица 3
Предпоследняя цифра шифра
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Rc, кОм
0,3
0,35
0,4
0,45
0,5
0,55
0,6
0,65
0,8
0,9
Uзио , В
-0,5
-0,5
-0,75
-0,75
-1
-1
-1
-1,25
-1,25
-1,4
Последняя цифра шифра
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Ес, В
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
Необходимо:
а) нарисовать принципиальную схему усилителя;
б) пользуясь статическими характеристиками транзистора, определить положение рабочей точки;
в) в найденной рабочей точке определить сопротивление резистора в цепи истока Ru и малосигнальные параметры S, Ri и m;
г) графоаналитическим методом определить параметры режима усиления Sp, K и Р при амплитуде входного сигнала Umзu=0,25 B.
Задача № 4
Фотодиод включен последовательно с источником питания и нагрузочным резистором RH. Обратный ток насыщения затемненного фотодиода (темновой ток) равен I0.
Фототок диода в фотогальваническом режиме при коротком замыкании перехода составляет Iф1 при потоке световой энергии Ф1; Iф2 при потоке световой энергии Ф2; Iф3=0 при потоке световой энергии Ф3=0.
Вычислить и построить семейство ВАХ идеализированного фотодиода для световых потоков Ф1, Ф2. и Ф3 в области напряжений U от 0 до – 10 В ( при расчетах принять, что фототок не зависит от напряжения на запертом переходе; Т = 300 К).
Определить напряжение холостого хода Uxx перехода диода для Ф1, Ф2 и Ф3 и значения Ф1,2 (лм), считая токовую чувствительность при монохроматическом световом потоке равной Si=1,5×10-2 мкА/лм.
Описать принцип работы, характеристики и параметры фотодиода. Значения, I0, Iф1, Iф2 приведены в табл. 4.
Таблица 4
Последняя цифра
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
I0, мкА
2
0,5
1
3
10
7
20
1
10
20
Последняя цифра
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
Rн, кОм
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
Iф1, мкА
20
30
40
50
40
30
20
30
40
50
Iф2, мкА
100
90
30
120
80
60
50
70
110
130
5. РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА