Материалы и компоненты электронной техники

Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования

«Белорусский государственный университет

 информатики и радиоэлектроники»

Институт информационных технологий

А. П. Казанцев, В. И. Пачинин, П. П. Стешенко

Материалы и компоненты электронной техники

Программа, методические указания и контрольные задания для студентов специальности 1-36 04 02 «Промышленная электроника» вечерней и заочной формы обучения Минск БГУИР 2011

Казанцев А.П. Пачинин В.И. Стешенко

Материалы и компоненты электронной техники: учеб.-метод. пособие / А.П.Казанцев, В.И.Пачинин, П.П.Стешенко.-  

            Минск: БГУИР, 2010

Почти все варианты МИКЭТ  - готовые контрольные работы БГУИР

Требования к оформлению контрольной работы

Итоговая контрольная работа (КР) должна содержать все указанные выше контрольные задания. КР должна быть представлена в установленные деканатом сроки и оформлена либо на листах формата А4, либо в тетради.

По структуре КР должна содержать ответы  на вопросы для самопроверки по заданным темам, ответ на основной вопрос (раздел 7) и решение задач (раздел 8). Обязательно записывать формулировки вопросов, а затем ответы на них, условия задачи и решения. Нумерация страниц обязательна. В конце КР следует привести список использованных литературных источников.

Таблица 6.1

Номера вариантов контрольной работы

7. Контрольные вопросы

1. Электро-технические материалы. Определение. Классификация ЭТМ по  группам и подгруппам.

2. Виды химической связи атомов веществ и их краткая характеристика.

3. Энергетическая структура материалов и деление веществ на классы. Энергетические диаграммы.

4. Проводники и их количественные характеристики.

5. Проводниковые материалы с высокой проводимостью и высоким удельным сопротивлением. Их применение.
6. Резистивные материалы и сплавы различного назначения.
7. Диэлектрики. Основное свойство диэлектриков и количественный параметр основного свойства.

8.  Виды поляризации диэлектриков. Время установления поляризации. Дисперсия диэлектрической проницаемости.

9. Электропроводность диэлектриков. Токи в диэлектрике. Удельная проводимость, удельное сопротивление (объёмное и поверхностное).

10. Потери и причины возникновения потерь в диэлектриках. Векторная диаграмма напряжения и токов в диэлектрике, тангенс угла диэлектрических потерь.

11. Схемы замещения диэлектриков. Условия эквивалентности схемы замещения реальному диэлектрику.
12. Пробой диэлектриков и виды пробоя. Количественный параметр пробоя.
13. Диэлектрические материалы. Классификация по существующим  признакам.

14. Газообразные диэлектрические материалы. Основные параметры. Применение.
15. Жидкие диэлектрические материалы. Области их применения.

16. Твёрдые диэлектрические материалы. Классификация. Методы получения полимерных материалов.
17. Материалы для изоляции проводников и их сравнительные характеристики.
18. Пластмассы, пенопласты, эластомеры. Применение.
19. Лаки, клеи, компаунды. Применение.

20. Волокнистые диэлектрические материалы. Характеристики. Применение.
21. Слоистые пластики. Типы. Применение.
22. Неорганические диэлектрические материалы. Классы. Области применения.
23. Стёкла. Классификационные признаки. Типы стёкол по техническому применению.

24. Керамика. Типы керамических изделий по применению. Ситаллы.

25. Полупроводники собственные и примесные. Энергетические диаграммы.

26. Подвижность носителей заряда. Температурная зависимость подвижности.
27. Температурная     зависимость     удельной     проводимости         примесных полупроводников.
28. Фотопроводимость полупроводников.
29. Полупроводниковые материалы. Получение монокристаллов из расплава.

30. Выращивание монокристаллов из жидкой и газовой фазы. Эпитаксия.
31. Основные характеристики кремния, германия, арсенида галлия, карбида кремния. Применение.
32. Магнетики. Классификация. Магнитный атомный порядок.
33. Процесс намагничивания. Магнитная проницаемость и её зависимость от напряжённости внешнего поля.
34. Намагничивание в переменном магнитном поле. Количественные параметры магнетиков.
35. Магнитные материалы: классификация магнитных материалов.
36. Магнитомягкие материалы, свойства, применение.
37. Ферриты: метод получения, свойства, применение.
38. Магнитные материалы специального назначения. Применение.
39. Магнитотвердые материалы: характеристики, применение.

8. Варианты контрольных задач и методические

указания к их решению

При составлении задач использовались материалы из методических пособий [16,17].

Решение любой задачи, начинается с определения того, к какому разделу изучаемого курса она относится, и нахождения формулы, при подстановке в которую некоторых  промежуточных формул, а затем и числовых значений соответствующих величин можно получить искомый ответ.

При выполнении контрольной работы условие задачи следует записать, а искомые величины поставить под знаком вопроса. Проводя численные рассеты,  следует пользоваться правилами приближенных вычислений, т.е. округлять числа до второго знака после запятой и для больших и очень малых чисел пользоваться сомножителем 10 в соответствующей степени.

Задача №1

 Для плоского конденсатора с диаметром электродов D = 10 мм, толщиной диэлектрика d = 0,01 м при напряжении на электродах U = 100 В рассчитать заряд Q, который будет на электродах конденсатора при заданном материале диэлектрика и напряжения U на обкладках.

Варианты диэлектриков:

1. Вакуум, полистирол
2. Воздух, фторопласт-4
3. Слюда, полиэтилен.

При решении задачи следует воспользоваться рис. 2.1 из [2], значение ε найти в соответствующих таблицах [1, 2].

Задача №2.

Определить ёмкость плоского конденсатора  с площадью обкладок         S = 100 мм², толщиной диэлектрика d = 0,02 м, проанализировать результаты и записать ответ на вопрос,  какую роль играет материал диэлектрика для значения ёмкости конденсатора заданного размера. Значение ε найти в соответствующих таблицах [1, 2].

Варианты диэлектриков:

1. Вакуум, слюда
2. Воздух, полиэтилен
3. Слюда, фторопласт-3.

Задача №3

 Определить заряд Q на обкладках плёночного конденсатора с площадью     S = 0,25 см² при напряжениях U(10, 20, 30, 40, 50) В и построить зависимость Q = f(U) для двух толщин конденсаторов. Числовые значения

ε и d взять в табл. 3.16 из [2].

Варианты диэлектриков:

1. Плёнка SiO₂
2. Плёнка SiO
3. Плёнка Ta₂O₅
4. Плёнка Si₃ N₄
5. Плёнка Al₂O₃.

Задача №4.

Цилиндрический образец диэлектрика диаметром D = 20 мм и длинной   l = 15 мм торцами подключен к источнику питания с напряжением U = 100 В. Определить ток, протекающий через образец, и возникающие при этом диэлектрические потери.

Варианты диэлектриков:

1. Полиэтилен
2. Полистирол
3. Фторопласт-4
4. Капрон.

Для решения задачи следует использовать справочные данные, в частности из табл. 3.1 и 3.3 в [2].

Для решения задач № 5 - 12 необходимо найти соответствующую формулу из [6] (с. 113 – 175) и при необходимости воспользоваться значениями параметров из таб. 4.1. в [1].

Задача №5

Найти эффективную плотность состоящей из N_c зоны проводимости и N_в валентной зоны полупроводника при 300 К.

Варианты полупроводников:

1. Ge
2. GaAs
3. InP
4. CdTe.

Задача №6

Рассчитать равновесные концентрации электронов n₀ и дырок р₀ невырожденного полупроводника при комнатной температуре.

Варианты полупроводников:

1. Si
2. InAs
3. InP
4. CdS. 

Задача №7

Найти положение уровня Ферми в собственном полупроводнике при комнатной температуре, оценить процентное отклонение  от полуширины запрещённой зоны.

Варианты полупроводников:

1. Si
2. GaP
3. InAs
4. InSb.

Оцените влияние температуры на относительное изменение положения уровня Ферми для узко- и широкозонных полупроводников.

Задача №8

Рассчитать температуру истощения примеси T_S по величине энергии активации примесных носителей заряда ∆Е_Д, ∆Е_А и концентрации примеси

N_Д,  N_А, считая, что плотность состояний в зонах  N_С, N_В не зависит от температуры.

Варианты материалов, энергий активации проводимости и концентраций примесных атомов:

1. Ge, ∆Е_А = 0,05 эВ, N_А = 2∙10²⁰ м^-3
2. Si, ∆Е_Д = 0,045 эВ, N_Д = 5∙10²³ м^-3
3. GaSb, ∆Е_А = 0,03 эВ, N_А = 5∙10²³ м^-3
4. InP, ∆Е_Д = 0,008 эВ, N_Д = 5∙10²⁰ м^-3 .

Задача №9

Определить температуру перехода к собственной проводимости T_i по известной концентрации примеси N_Д, N_А, считая, что плотность состояний в зонах N_С, N_В не зависит от температуры

Варианты материалов и концентраций примеси:

1. GaP, N_Д = 5∙10²² м^-3   
2. InSb,  N_А = 2∙10²⁰ м^-3
3. CdTe, N_Д = 3∙10²¹ м^-3
4. PbS, N_А = 2∙10²⁰ м^-3.

Задача №10.

Рассчитать удельную проводимость σ_n, σ_p примесного полупроводника по заданной концентрации примеси N_Д, N_А. Сравнить полученные значения, считая примесь донорной, а затем акцепторной. Объяснить разницу полученных значений σ_n, σ_p.

Варианты материалов и концентраций примеси:

1. GaAs, N = 5∙10²⁰ м^-3   
2. InSb, N = 2∙10¹⁹ м^-3   
3. CdS, N = 2∙10²² м^-3   
4. CdTe, N = 5∙10²¹ м^-3.   

Задача №11

Определить концентрацию носителей заряда в собственном полупроводнике n_i, если известно его удельное сопротивление ρ.

Варианты материалов и значений ρ:

1. Ge, ρ = 0,62 Ом∙м
2. Si, ρ = 4,2∙10³ Ом∙м
3. GaP, ρ = 4,4∙10¹⁴ Ом∙м
4. PbS, ρ = 8,8∙10^-2 Ом∙м.

Задача №12

Определить красную границу внутреннего фотоэффекта для указанных полупроводников.

 Варианты полупроводниковых материалов:

1. GaAs
2. CdS
3. CdSe
4. InSb.

Задача №13.

Построить по данным таблицы 8.1 основную кривую намагничивания   В  =  f(H) для электротехнической стали и по этой кривой рассчитать и занести в таблицу значения μ,  построить зависимость μ  =  f(H). Какой точке кривой намагничивания соответствует μ_max

Таблица 8.1

Исходные данные для расчета

При  построении графика учесть, что относительная магнитная проницаемость μ определяется по формуле

,

где  В – индукция [Тл];

Н – напряжённость внешнего магнитного поля [А/м];

μ₀ – магнитная постоянная  [Гн/м].

При решении задачи можно воспользоваться материалом [2]( с. 355).

Задача №14

Вычислить величину индуктивности обмотки и магнитный поток Ф в кольцевом сердечнике из магнетика с размерами: площадь сечения

S  = 1,5∙10^-4 м²_, длина средней силовой линии l_ср  =  0,2 м, число витков обмотки W = 100, ток намагничивания в  обмотке I = 1 А.

Индуктивность обмотки вычисляется по формуле:

где μ₀ – магнитная постоянная.

Следует учесть, что магнитный поток Ф определяется по формуле:

Ф = L∙I [Вб],

где L -  индуктивность [Гн], а I - ток намагничивания в [A].

Значения относительной магнитной проницаемости μ для различных материалов пронумерованы и даны в табл. 8.2. Следует решить задачу для двух образцов из варианта задания и объяснить, как влияет величина μ на индуктивность L и магнитный поток Ф.

Таблица 8.2

Значение магнитной проницаемости материалов          

Задача №15

Определить работу выхода электронов φ из металла, если известна длина волны λ_k красной границы внешнего фотоэффекта.

Варианты материала проводника:

1. Вольфрам, λ_k = 275 нм
2. Натрий, λ_k = 500 нм.

При решении задачи следует учесть, что работа выхода φ [эВ] равна энергии фотона Е_Ф, которая определяется длиной волны  λ_k , соответствующей красной границе внешнего фотоэффекта. 

Задача №16

Нагревательный прибор из проволоки с высоким удельным сопротивлением и мощностью W = 600 Вт работает при напряжении U = 220 В и рабочей температуре t = 700 ⁰C.

Рассчитать длину провода по заданному материалу и диаметру проволоки d.

Варианты материала и диаметра проволоки:

1.  Нихром, d = 0,5 мм
2.  Нихром, d = 0,4 мм
3.  Нихром, d = 0,3 мм
4.  Фехраль, d = 0,5 мм
5.  Фехраль, d = 0,4 мм
6.  Фехраль, d = 0,3 мм.

Необходимые данные по значениям удельного сопротивления и температурному коэффициенту ТК_р взять из табл. 4.10 из [2] или табл. 2.2 из [1].

Задача №17.

Определить абсолютное приращение удельного сопротивления ρ металла при изменении температуры от  20 до 220 ^ОС. Сравнить эти величины для двух металлов.

Варианты  металлов:

1. Медь, алюминий
2. Медь, железо
3. Золото, платина
4. Серебро, алюминий.

Необходимые данные взять из табл. 11.1 из [2].

9. Литература (основная)

1.   Казанцев, А. П.,  Электротехнологические материалы: учеб. пособие / А. П. Казанцев. –  Мн.: Дизайн ПРО, 1988, 2001 г.
2. Пасынков, В. В., Материалы электронной техники: учеб. пособие /   В. В.Пасынков – М.: ВШ., 1980 г.
3. Пасынков, В. В. Материалы электронной техники /
   
   В. В.  Пасынков, В. С. Сорокин, – М., ВШ., 1986 г., «Лань», 2003 г.
4. Преображенский, А. А. Магнитные материалы и элементы /
   
   А. А. Преображенский – М.: ВШ., 1976 г.
5. Степаненко, И. П.  Основы микроэлектроники / Степаненко И. П. – М., Сов. радио,    1980 г., М.: 2003 г.
6. Шалимова, К. В. Физика полупроводников / К. В. Шалимова – М.: Энергия, 1976 г., М.: Энергоатомизд, 1985г.

Дополнительная

7. Березин, А. С. Технология и конструирование интегральных микросхем /  А. С. Березин, О. Р. Мочалнина – М.: «Радиосвязь», 1983 г.
8. Журавлёва, Л. В. Электроматериаловедение / Л. В. Журавлёва – М.: 2004 г.
9. Калинин, Н. Н. Электорадио-материалы / Н. Н. Калинин,                      Г. Л. Скобинский, П. П. Новиков – М.: ВШ., 1981 г.
10.   Казанцев, А. П.  Радиотехнические материалы:  метод. пособие, / А. П. Казанцев – Мн.: МРТИ, 1993 г.
11.   Казанцев, А.П. Радиотехнические материалы: лабораторный практикум / А. П. Казанцев – Мн: БГУИР, 2003 г.
12. Курносов, А. И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А. И. Курносов, В. В. Юдин. – М.:  ВШ, 1976 г.
13. Таиров, Ю. М. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов / Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков – М.: ВШ., 1983 г.
14.   Рычина, Т. А. Электрорадиоэлементы / Т. А. Рычина –  М.: Сов. радио, 1976 г.
15. Петров, К. С. Радиоматериалы, радиокомпоненты, электроника /     К. С. Петров  СПб.: 2004 г.
16.   Воробей, З.Ф. Радиотехнические материалы и радиодетали: метод. пособие / З.Ф. Воробей, С.Н. Кураева, Л.М. Раткевич – Мн.: МРТИ, 1983 г.
17.  Воробей, З.Ф. Физика полупроводников и диэлектриков: метод. пособие и контрольные задания / З.Ф. Воробей, А.П. Казанцев, И.Н. Лещенко – Мн.: МРТИ, 1984 г.