Физико-технологические основы процессов формирования микро и наноструктур (ФТОПФМиН )

ФТОПФМиНС

Только под заказ

ТЕМЫ КОНТРОЛЬНЫХ РАБОТ

СТРУКТУРЫ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ

МИКРОСХЕМ

1.  ДИФФУЗИОННО-ПЛАНАРНАЯ СТРУКТУРА

                Последовательность формирования диффузионно-планарной структуры. Основные процессы: подготовка пластин, окисление поверхности, вскрытие окон в окисле перед диффузией примеси в коллекторные, базовые и эмиттерные  области.  Диффузия  примеси  в  коллекторные,  базовые  и эмиттерные области. Вскрытие окон под контакты к диффузионным областям, Металлизация поверхности, Избирательное травление металлической пленки и образование межсоединений.

Привести примеры разработки топологических слоев и фотошаблонов на отдельных технологических операциях.

2. СТРУКТУРЫ С ИНЖЕКЦИОННЫМ ПИТАНИЕМ И²Л

                последовательность технологических операций формирования структуры с инжекционным питанием И²Л, подготовка пластин, окисление поверхности, вскрытие окон в окисле перед диффузией примеси в коллекторные, базовые и эмиттерные области, диффузия примеси в коллекторные, базовые и эмиттерные области, вскрытие окон под контакты к диффузионным областям, металлизация поверхности, избирательное травление металлической пленки и образование межсоединений.

Привести примеры разработки топологических слоев и фотошаблонов на отдельных технологических операциях.

3. ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНАЯ СТРУКТУРА

                последовательность технологических операций формирования эпитаксиально-планарной структуры, основные процессы: подготовка пластин, стравливание окисла, подготовка поверхности, эпитаксиальное наращивание n-слоя, окисление поверхности, вскрытие окон в окисле под изолирующую (разделительную) диффузию примеси, формирование диффузионных базовых и эмиттерных областей,  получение межсоединений.

Привести примеры разработки топологических слоев и фотошаблонов на отдельных технологических операциях.

4. ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНАЯ СТРУКТУРА

СО СКРЫТЫМ N⁺ СЛОЕМ

последовательность технологических операций формирования эпитаксиально-планарной структуры со скрытым n⁺ слоем, основные процессы: подготовка пластин, стравливание окисла, подготовка поверхности, вскрытие окон под диффузию скрытого слоя, диффузия n+-примеси, окисление поверхности, стравливание окисла, подготовка поверхности, эпитаксиальное наращивание n-слоя, окисление поверхности, разделительная диффузия, формирование базовых и эмиттерных областей и межсоединений.

Привести примеры разработки топологических слоев и фотошаблонов на отдельных технологических операциях.

5. СТРУКТУРА С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ

                последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией, основные процессы: подготовка пластин, стравливание окисла, подготовка поверхности, избирательное травление окисла, глубокое травление кремния, окисление поверхности, осаждение поликристаллического кремния, шлифование в полирование обратной стороны пластины, окисление поверхности, базовая и эмиттерная диффузия, получение межсоединений.

Привести примеры разработки топологических слоев и фотошаблонов на отдельных технологических операциях.

6. ИЗОПЛАНАРНАЯ СТРУКТУРА

                последовательность технологических операций формирования изопланарной структуры, основные процессы: подготовка пластин, стравливание окисла, подготовка поверхности, формирование эпитаксиального и скрытого слоев, нанесение слоя нитрида кремния, избирательное травление нитрида кремния по контуру будущих элементов, глубокое окисление кремния, стравливание нитрида кремния и окисление поверхности, формирование базовых и эмиттерных областей, формирование межсоединений.

Привести примеры разработки топологических слоев и фотошаблонов на отдельных технологических операциях.

7. ИЗОПЛАНАРНАЯ СТРУКТУРА С ИЗОЛИРУЮЩИМИ

V-КАНАКАМИ (ПОЛИПЛАНАРНАЯ СТРУКТУРА)

последовательность технологических операций формирования изолированных областей в полипланарной структуре, основные процессы: подготовка пластин, стравливание окисла, подготовка поверхности, формирование эпитаксиального и скрытого слоев, окисление кремния, избирательное травление окиси кремния и анизотропное травление кремния, стравливание окиси и окисление всей поверхности, осаждение поликристаллического кремния, шлифование, полирование и окисление поверхности, формирование базовых и эмиттерных областей, формирование межсоединений.

Привести примеры разработки топологических слоев и фотошаблонов на отдельных технологических операциях.

8. КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ СТРУКТУРЫ

НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ

                последовательность технологических операций формирования К МДП-структуры, основные процессы: подготовка пластин, стравливание окисла, подготовка поверхности, последовательное получение р-, р+ и n+-областей методом диффузии, избирательное травление SiO₂, термическое окисление кремния (получение подзатворного диэлектрика), избирательное травление SiO₂ под контакты к истокам и стокам; формирование межсоединений.

Привести примеры разработки топологических слоев и фотошаблонов на отдельных технологических операциях.

9. СТРУКТУРЫ

НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХс  n-КАНАЛОМ

                последовательность технологических операций формирования К МДП-структуры, основные процессы: подготовка пластин, стравливание окисла, подготовка поверхности, последовательное получение активных областей методом диффузии, избирательное травление SiO₂, термическое окисление кремния (получение подзатворного диэлектрика), избирательное травление SiO₂ под контакты к истокам и стокам; формирование межсоединений.

Привести примеры разработки топологических слоев и фотошаблонов на отдельных технологических операциях.

10. СТРУКТУРЫ

НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ с р-КАНАЛОМ

                последовательность технологических операций формирования К МДП-структуры, основные процессы: подготовка пластин, стравливание окисла, подготовка поверхности, последовательное получение активных областей методом диффузии, избирательное травление SiO₂, термическое окисление кремния (получение подзатворного диэлектрика), избирательное травление SiO₂ под контакты к истокам и стокам; формирование межсоединений.

Привести примеры разработки топологических слоев и фотошаблонов на отдельных технологических операциях.

11. СТРУКТУРЫ «КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ»

                Разновидности и последовательность технологических операций формирования, основные процессы: подготовка пластин «сапфир–эпитаксиальный кремний–окись кремния», избирательное анизотропное травление кремния с помощью оксидной маски (образование островков), избирательная диффузия акцепторной примеси, снятие маски с островков, маскирование островков с помощью SiO₂, избирательное покрытие фосфоросиликатным стеклом (ФСС) р-островков и общее покрытие боросиликатным стеклом (БСС), диффузия примесей и стравливание БСС, ФСС и SiO₂, нанесение SiO₂ и формирование межсоединений.

Привести примеры разработки топологических слоев и фотошаблонов на отдельных технологических операциях.