Электронные приборы БГУИР

1 ответ [Последнее сообщение]
Вс, 16/12/2012 - 12:59
admin
Аватар пользователя admin
Offline
Создано: 20/08/2012

Контрольная работа № 1 по Эп для групп 183121-183123

Выполним ЭПИУ и ЭП для других специальностей тоже

Сделать заказ работы

 

Задача  №1

Рассчитать и построить вольтамперную характеристику идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения от – 10 до + 0,7 В при Т = 300 К и обратном токе насыщения, равном I0.  Величина константы  для Т = 300 К будет 0,026 В.

            Определить дифференциальное сопротивление Rдиф, сопротивление диода постоянному току R0  для заданных значений Uпр. Величины I0, Uпр  приведены в табл. 1.

 

Таблица 1

 

Последняя цифра шифра

1

2

3

4

5

6

7

8

9

0

I0,nА

0,1

0,2

0,25

0,3

0,5

0,8

1,2

1,5

2,0

3,0

 

 

Предпоследняя цифра шифра

1

2

3

4

5

6

7

8

9

0

+Uпр, В

0,7

0,65

0,8

0,6

0,67

0,75

 

0,62

0,72

0,68

0,71

 

-Uобр,В

1

3

5

7

10

Iобр,нА

 

 

 

 

 

 

 

Задача № 2

 

            Стабилитрон подключен для стабилизации напряжения параллельно резистору нагрузки RH . Параметры стабилитрона Ucm; Icm min; Icm max  и сопротивление нагрузки RH приведены в табл. 2. Определите величину сопротивления ограничительного резистора Rогр, если напряжение источника Е0 изменяется от Emin=20 В до Emax=30 B. Будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменений напряжения источника Е?

 

Таблица 2

 

Последняя цифра шифра

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Iст min, мА

1

1

3

3

5

5

5

5

1

5

      Iст max, мА

20

20

25

25

25

25

30

30

20

30

 

         

Предпоследняя цифра шифра

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

RH, кОм

1

1

1,5

1,5

2

2

2,5

2,5

3

4

       Uст В

8

9

10

11

12

13

14

8

9

7

 

.

 

Задача № 3

 

            Усилительный каскад  выполнен на полевом транзисторе типа 2П302А по схеме с общим истоком и резистором нагрузки Rc  в цепи стока. Напряжение смещения на затворе создается за счет включения в цепь истока резистора Ru.  Значения сопротивления резистора Rc, напряжения на затворе в режиме покоя Uзио и ЭДС источника Есприведены в таблице 3.

 

Таблица 3

 

Предпоследняя цифра шифра

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Rc, кОм

0,3

0,35

0,4

0,45

0,5

0,55

0,6

0,65

0,8

0,9

         Uзио , В

-0,5

-0,5

-0,75

-0,75

-1

-1

-1

-1,25

-1,25

-1,4

 

Последняя цифра шифра

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Ес, В

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

 

            Необходимо:

            а) нарисовать принципиальную схему усилителя;

            б) пользуясь статическими характеристиками транзистора, определить положение рабочей точки;

            в) в найденной рабочей точке определить сопротивление резистора в цепи истока Ru и малосигнальные параметры S, Ri и m;

            г) графоаналитическим методом определить параметры режима усиления Sp, K и Р при амплитуде входного сигнала Umзu=0,25 B.

 

Задача № 4

 

            Фотодиод включен последовательно с источником питания и нагрузочным резистором RH. Обратный ток насыщения затемненного фотодиода (темновой ток) равен I0.

            Фототок диода в фотогальваническом режиме при коротком замыкании перехода составляет Iф1 при потоке световой энергии Ф1; Iф2 при потоке световой энергии Ф2; Iф3=0 при потоке световой энергии Ф3=0.

            Вычислить и построить семейство ВАХ идеализированного фотодиода для световых потоков Ф1, Ф2. и Ф3 в области напряжений U от 0 до – 10 В ( при расчетах принять, что фототок не зависит от напряжения на запертом переходе; Т = 300 К).

            Определить напряжение холостого хода Uxx перехода диода для Ф1, Ф2 и Ф3 и значения Ф1,2 (лм), считая токовую чувствительность при монохроматическом световом потоке равной Si=1,5×10-2 мкА/лм.

            Описать принцип работы, характеристики и параметры фотодиода. Значения, I0, Iф1, Iф2 приведены в табл. 4.

 

                                                                                                                                 Таблица 4

 

 

Последняя цифра

1

2

3

4

5

6

7

8

9

0

I0, мкА

2

0,5

1

3

10

7

20

1

10

20

 

 

Последняя цифра

1

2

3

4

5

6

7

8

9

0

Rн, кОм

30

40

50

60

70

80

90

100

110

120

Iф1, мкА

20

30

40

50

40

30

20

30

40

50

Iф2, мкА

100

90

30

120

80

60

50

70

110

130

 

‹ Основы экологии и энергосбережения (ОЭИЭ) Устройство и электрооборудование автомобильной техники ›
Верх
Сб, 06/04/2013 - 08:40
#1
admin
Аватар пользователя admin
Offline
Создано: 20/08/2012

Электронные приборы

 

Рабочая учебная программа, методические указания и контрольные работы.

 

Учебно-методическое пособие для студентов специальностей:

1-53 01 07  «Информационные технологии и управление в технических системах», 1-40 02 01 «Вычислительные машины, системы и сети»

вечерней и заочной форм обучения

 

Курс «Электронные приборы » является базовым курсом для специальностей:            1-53 01 07 «Информационные технологии и управление в технических системах», 1-40 02 01 «Вычислительные машины, системы и сети» вечерней и заочной форм обучения. В результате изучения  курса студент должен знать физические процессы в электронных приборах, электронные компоненты, а также научиться использовать их в конкретных схемах.

         Помимо изучения теоретического материала предусматривается выполнение контрольных заданий. Приводится примерный перечень лабораторных работ и практических занятий. С целью облегчения изучения материала в каждом разделе приводятся методические указания и рекомендуемая литература.

         Изучение курса опирается на знания, полученные в результате изучения таких дисциплин, как «Математика», «Физика», «Электротехника»,  «Информатика».

Теоретические вопросы контрольной работы

Вариант №1

  1. Прямое включение р-n-перехода (1,2)
  2. Полупроводниковые  резисторы: варисторы и терморезисторы. Типы и основные характеристики (1, 2 ,3)

 

Вариант №2

  1. Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Уровень Ферми. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость. (1-4)
  2. Статические характеристики транзистора в схеме  с общие базой (1, 2)

 

Вариант №3

  1. Энергетическая диаграмма собственного полупроводника. Уровень Ферми. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость. (1-4)
  2. Статические характеристики транзистора в схеме  с общим эмиттером (1, 2)

 

Вариант №4

  1. Энергетические диаграммы твердых тел. (1, 3, 4)
  2. Схемы включения биполярного транзистора и режимы работы (1, 2)

 

Вариант №5

  1. Как образуется энергетический спектр электронов в твердых телах и каков его характер (3,4)
  2. Устройство и принципы действия биполярного транзистора. (1, 2, 3)

 

Вариант №6

  1. Температурная зависимость удельной проводимости  примесного полупроводника. (3, 4)
  2. Диодный тиристор. Структура и принцип работы. (1, 2)

 

Вариант №7

  1. Пояснить термины: основные и неосновные носители заряда; генерация и рекомбинация  носителей заряда; равновесная и неравновесная концентрация носителей заряда (1, 4)
  2. Полевые транзисторы со встроенным каналом. Статические характеристики. (1, 2, 3)

 

Вариант №8

  1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках. (2)
  2. Полупроводниковые  резисторы: варисторы и терморезисторы. Типы и основные характеристики (1, 2 ,3)

 

Вариант №9

  1. Фотопроводимость полупроводников. Спектральная и вольт-амперная характеристики (4)
  2. Туннельные и обращенные диоды и их параметры. (1,2)

 

Вариант №10

  1. Образование р-n-перехода. Контактная разность потенциалов. (1,2,3)
  2. Фотодиоды и светодиоды. Структуры и схемы включения. (3,4)

 

Вариант №11

  1. Обратное включение р-n-перехода (1,2,3)
  2. Интегральные микросхемы. Классификационные признаки и деление ИМС на классы. (4)

 

Вариант №12

  1. ВАХ р-n-перехода. (1, 2, 3)
  2. Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом. Статические характеристики. (1, 2, 3)

 

Вариант №13

  1. Пробой р-n-перехода. Виды пробоя. (1, 2)
  2. Триодный тиристор. Структура и принцип работы. (1, 2)

 

Вариант №14

  1. Емкости р-n-перехода. (1,2)
  2. Принцип работы транзисторного усилителя. (2)

 

Вариант №15

  1. Выпрямительные диоды и их параметры.(1,2)
  2. МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Статические характеристики. (1, 2, 3)

 

Вариант №16

  1. Полупроводниковые стабилитроны и их параметры. (1,2)
  2. Полевые транзисторы со встроенным каналом. Статические характеристики. (1, 2, 3)

 

Вариант №17

  1. Варикапы и их параметры. (1, 2)
  2. Пояснить термины: основные и неосновные носители заряда; генерация и рекомбинация  носителей заряда; равновесная и неравновесная концентрация носителей заряда (1, 4)

 

 

Вариант №18

  1. Полупроводниковые  резисторы: варисторы и терморезисторы. Типы и основные характеристики (1, 2 ,3)
  2. Энергетическая диаграмма собственного полупроводника. Уровень Ферми. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость. (1-4)

 

Вариант №19

  1. Устройство и принципы действия биполярного транзистора. (1, 2, 3)
  2. Интегральные микросхемы. Классификационные признаки и деление ИМС на классы. (4)

 

Вариант №20

  1. Полупроводниковые стабилитроны и их параметры. (1,2)
  2. Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Уровень Ферми. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость. (1-4)

 

Вариант №21

  1. Статические характеристики транзистора в схеме  с общие базой (1, 2)
  2. Энергетические диаграммы твердых тел. (1, 3, 4)

 

Вариант №22

  1. Пояснить термины: основные и неосновные носители заряда; генерация и рекомбинация  носителей заряда; равновесная и неравновесная концентрация носителей заряда (1, 4)
  2. Статические характеристики транзистора в схеме  с общим эмиттером (1, 2)

 

Вариант №23

  1. Схемы включения биполярного транзистора и режимы работы (1, 2)
  2. Фотопроводимость полупроводников. Спектральная и вольт-амперная характеристики (4)

 

Вариант №24

  1. Фотодиоды и светодиоды. Структуры и схемы включения. (3,4)
  2. Прямое включение р-n-перехода (1,2)

 

Вариант №25

  1. Образование р-n-перехода. Контактная разность потенциалов. (1,2,3)
  2. МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Статические характеристики. (1, 2, 3)

 

Вариант №26

  1. Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом. Статические характеристики. (1, 2, 3)
  2. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках. (2)

 

Вариант №27

  1. Температурная зависимость удельной проводимости  примесного полупроводника. (3, 4)
  2. Топология и структура многоэмиттерного и многоколлекторного транзисторов. (3, 4)

 

Вариант №28

  1. ВАХ р-n-перехода. (1, 2, 3)
  2. Как образуется энергетический спектр электронов в твердых телах и каков его характер (3,4)

 

Вариант №29

  1. Выпрямительные диоды и их параметры.(1,2)
  2. Диодный тиристор. Структура и принцип работы. (1, 2)

 

Вариант №30

  1. Обратное включение р-n-перехода (1,2,3)
  2. Варикапы и их параметры. (1, 2)

 

 

РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА

 

  1. Ф.А. Ткаченко «Техническая электроника», Мн., «Дизайн ПРО», 2000 г.
  2. А.Л. Булычев, П.М. Лямин, Е.С. Тулинов, «Электронные приборы»,Мн., В.Ш,,1999.
  3. К.С. Петров, «Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника», Питер, 2004.
  4. А.П. Казанцев, «Материалы и компоненты радиоэлектроники», Мн., БГУИР, 2009.

 

Верх