Технология изготовления интегральных микросхем (ТИИМС)

Выполним под заказ для микроэлектронщиков БГУИР ТИИМС курсовые и контрольные работы.

БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Методические указания и  контрольные задания по дисциплине «Маршрутная технология интегральных

и больших гибридных интегральных схем, датчики и сенсорные устройства» (раздел «Базовые  технологические процессы интегральных схем) для студентов специальности I-42 01 02 «Микро- и наноэлектроника, технологии и системы» заочной и дистанционной формы обучения

Минск 2007

                                        Составитель:                                      Ю. А. Родионов

6. КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ

     Каждый студент выполняет контрольное задание состоящее описания одного технологического процесса, либо приема и и решения двух обратных технологических задач:

1. По определению технологических режимов получения легированной методом термодиффузии пленки заданных параметров;
2. По определению технологических режимов создания легированной методом ионной имплантации пленки заданных параметров.

 При этом задается:

1. тип подложки, например КЭФ – 4,5; КДБ – 40; КЭС – 0,1 и т.д.        

2. требуемая толщина пленки например 0,1 мкм; 0,3 мкм; 0,18 мкм и т.д.    3. поверхностное сопротивление пленки, например 10 Ом/кв; 40 Ом/кв и т.д.

          По этим исходным данным требуется определить (рассчитать) технологический режим (температуру, длительность процесса, дозу облучения и т.д.)

         Такие задачи являются стандартными для специалиста в области технологии кремниевых ИС и постоянно решаются линейными технологами и разработчиками в повседневной практике. Для облегчения решения таких учебных задач для студентов приводятся типовые примеры решения реальных инженерных задач и примеры оформления отчетов по этим задачам ([1] ЭУМК по дисциплине «Базовые технологические процессы для студентов специальности I - 4101 02.)

         Каждый студент выполняет вариант контрольного задания, номер которого соответствует порядковому номеру фамилии студента в зачетной ведомости.

                        1. Описать технологический процесс

1. Механическая резка слитка на пластины и шлифовка пластин
2. Химико-механическая полировка пластин
3. Обезжиривание поверхности пластин
4. Полирующее химическое травление пластин
5. Отмывка пластин после химобработок
6. Плазмохимическое травление
7. Высокотемпературное окисление кремния в сухом кислороде
8. Высокотемпературное окисление кремния в цикле сухой- влажный- сухой кислород
9. Пирогенное окисление кремния
10.  Механизмы термодиффузии в твердом теле
11.  Основные законы термодиффузии в твердом теле
12.  Основные технологические приемы проведения термодиффузии
13.  Технологический контроль диффузионного слоя
14.  Основные положения теории ионного легирования
15.  Эффект каналирования при ионном легировании
16.  Структура и принцип работы установки ионного легирования
17.  Технологический контроль имплантированных слоев
18.  Фотолитография на микрозазоре
19.  Проекционная фотолитография в глубоком ультрафиолете
20.  Электронно-лучевая литография
21.  Рентгеновская литография
22.  Магнетронное распыление металлов
23. Электронно-лучевое распыление металлов
24.  Ионно-лучевое распыление металлов
25.  Многослойная металлизация
26.  Электромиграция в тонких пленках металлизации

2. Решить  обратную задачу по термодиффузии

3. Решить обратную задачу по ионному легированию